专利摘要显现，本案揭穿一种半导体存储器设备及其制作办法。半导体存储器设备包括基材、位元线接点以及位元线。基材包括自动区域。位元线接点触摸自动区域。位元线具有与位元线接点触摸的端部，其间端部具有榜首梯形概括。半导体存储器设备制作办法的蚀刻配方具有较高的导电资料/阻挡层选择性，从而将位元线接点至自动区域着陆区扩展并改进位元线接点的触摸电阻。

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